歐姆龍（OMRON）繼電器MOS FET全稱Metal-Oxide Field-Effect Transistor，其中M: Metal---金屬，O: Oxide---氧化物，S: Semiconductor---半導體，F(xiàn): Field---場,E: Effect---效應,T: Transistor---晶體管，代表金屬氧化物半導體場效應管。它的內部由3個芯片構成，LED芯片+PDA芯片（光電二極管陣列）+MOS FET芯片共同組成，工作原理是通過LED發(fā)光--PDA發(fā)電--MOSFET開關，這三個過程相結合實現(xiàn)繼電器 的功能。

MOS FET繼電器是一種集兩種產品特性為一體的電子元器件，包括機械繼電器（簧片繼電器）及半導體開關裝置。與其他普通繼電器相比，MOS FET繼電器擁有更多的優(yōu)點，它的存在可以促進各種設備的小型化，并且實現(xiàn)更加節(jié)能的作用,正逐步替代機械繼電器。以下是歐姆龍MOS FET繼電器區(qū)別于普通繼電器的顯著特點。      

歐姆龍MOS FET繼電器的特點

1. 繼電器雖小仍可實現(xiàn)它的焊接性。

l SSOP/USOP封裝的繼電器，端子直接露出，可視性優(yōu)異，安裝便利。

l VSON/S-VSON封裝，雖然無直接引線，但是繼電器側身焊接結合處面積大，結合強度優(yōu)異。

2. 超小型、輕量：除了SSOP、USOP之外，超小型封裝VSON、S-VSON全新登場，為設備的小型化做出貢獻。

3. 低驅動電流：在推薦運行條件（標準）下的驅動電流為2-15mA左右。還有最小可用0.2mA驅動的產品，為整體設備的節(jié)能化做出貢獻。

4. 長壽命：采用光信號傳輸方式，實現(xiàn)無接點構造。不會因接點磨損而縮短使用壽命，實現(xiàn)了長使用壽命。

5. 漏電流微弱：對外部浪涌有很高的耐心，而且還沒有緩沖電路，因此正常運行時電流小于1nA，關閉時的漏電流也極其微弱。

6.  耐沖擊性出色：內部部件完全為沖壓制品，而且沒有可動部等機構部件，具有出色的耐沖擊性、耐震動性。

7. 高絕緣性：將電壓轉換成光、以信號形式進行傳送，確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。更高級的AC5000V也已實現(xiàn)系列化。

8. 靜音：不會像機械繼電器那樣在開閉金屬接點時會發(fā)出聲音，為設備的靜音化做出貢獻。

9. 高速響應性：運行時間僅0.2ms（SSOP\USOP、VSON），相比機械繼電器的3ms-5m，速度明顯提升。實現(xiàn)了高速響應性。

10. 可準確控制微小模擬信號：與機械繼電器同等的低導通電阻產品，與雙向可控硅開關元件相比，不靈敏帶極小。微弱模擬信號的輸入波形可基本無任何失真地轉換為輸出波形。